[发明专利]化学机械抛光磨料粒子CeO2及其制备方法有效
| 申请号： | 200710065387.9 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101284952A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 韩业斌;朱兆武;龙志奇;黄小卫;崔大立;张顺利;崔梅生 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C09C1/68 | 分类号： | C09C1/68;C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及到化学机械抛光(CMP)磨料粒子CeO2及其制备方法，属于稀土粉体材料的化学制备技术领域。本发明是关于以铈的无机盐溶液利用均相沉淀剂制备得到CMP抛光磨料粒子的方法。其制备步骤是将铈的无机盐与沉淀剂配成一定比例的溶液，通过超声震动使其混合均匀，加热到一定温度生成沉淀，再将浆液静置陈化后，再过滤和煅烧，即可制得CeO2磨料粒子。本发明还通过加入表面活性剂来促进成核速度，从而降低了反应温度，同时得到的磨料粒子球化度也比较好。制备得到了属于单相立方晶系，空间群为O5H－FM3M，分散性好、粒度分布均匀的类球形状，0＜比表面积BET＜50m2/g的CMP磨料粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 磨料 粒子 ceo sub 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种化学机械抛光磨料粒子CeO2，其特征在于它为单相立方晶系，空间群为O5 H-FM3M，晶粒尺寸为5～100nm，0＜分散度＜1.0，0＜比表面积＜50m2/g。
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