[发明专利]Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710072440.8 申请日: 2007-07-02
公开(公告)号: CN101144187A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 徐衍岭;杨春晖;王锐;杨同勇;王斌举 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B15/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 单军
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法,它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在VPb、Vo及晶体诱导色心Pb3+、O和F缺陷,光学性能差的问题。Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌制成;氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1,氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~200ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~1050ppm。制备方法:一、烧结;二、采用提拉法生长晶体。本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素钇和锌,在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上,大幅度改善其光学性能。本发明Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。
搜索关键词: zn 掺杂 钨酸铅 晶体 及其 制备 方法
【主权项】:
1.Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体,其特征在于Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌制成;氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1,氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~200ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~1050ppm。
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