[发明专利]一种沟槽栅功率半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅功率半导体器件制造方法。步骤包括：提供基底材料；在基底上形成第一导电类型的外延层；在外延层内形成第二导电类型体区和沟槽；在沟槽形成弱第一导电类型区域和介质层；在具有介质层的沟槽内侧形成导电区域；在第二导电类型区域表面形成具有第一导电类型的源区；在第二导电类型体区表面形成具有更高掺杂浓度的第二导电类型体接触区；在具有介质层和导电区域的沟槽顶部形成钝化层盖帽；在源区和接触区表面形成扩散阻挡层；最后在形成结构表面形成良好的电接触。本发明在无需额外的掩膜版和复杂工序情况下，能够灵活地控制器件的阈值电压，改善器件槽底区域栅氧化物层的击穿强度以及提高器件的电接触可靠性。

主权项

1、一种沟槽栅功率半导体器件制造方法，其特征在于它包括如下步骤：提供第一导电类型的基底材料；在上述基底上形成第一导电类型的外延层，该外延层具有低于基底的掺杂浓度；在上述外延层内形成第二导电类型体区；在上述外延层内形成沟槽；在上述沟槽底部外延层内形成弱第一导电类型区域；在上述沟槽内侧表面形成介质层；在上述具有介质层的沟槽内侧形成导电区域；在上述第二导电类型区域表面形成具有第一导电类型的源区；在上述第二导电类型体区表面形成具有更高掺杂浓度的第二导电类型体接触区；在上述具有介质层和导电区域的沟槽顶部形成钝化层盖帽；在上述源区和接触区表面形成扩散阻挡层；在上述形成结构表面形成良好的电接触。