[发明专利]静态随机存取存储器宏和双端口静态随机存取存储器装置无效
| 申请号： | 200710084684.8 | 申请日： | 2007-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101154442A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/416;G11C11/419 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静态随机存取存储器(SRAM)宏和双端口静态随机存取存储器装置，该静态随机存取存储器宏包含：一单元阵列有由多个位线及多个字线所寻址的一个或多个SRAM单元；一个或多个参考单元耦合到至少一个参考位线，和耦合到寻址所述SRAM单元的该字线；以及至少一个感测放大器，有接收产生自一选择的SRAM单元的一感测电流的第一端，和接收该参考单元所产生的参考电流的第二端，该参考单元由耦合至该选择的SRAM单元的相同字线所控制，以比较该感测电流与该参考电流来产生代表该选择的SRAM单元的逻辑状态的输出信号。本发明的双端口SRAM的读取操作速度与感测限度可以显著地改进，而不需牺牲大量的装置面积。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 端口 装置 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器宏，包含：一单元阵列，含有由多个位线和多个字线寻址的一个或多个静态随机存取存储器单元；一个或多个参考单元，耦合在至少一个参考位线以及用来寻址所述静态随机存取存储器单元的所述字线上；以及至少一感测放大器，具有第一端，接收来自该单元阵列的一个选择的静态随机存取存储器单元的感测电流；以及第二端，接收由耦合在该选择的静态随机存取存储器单元的相同字线所控制的一选择的参考单元所产生的参考电流，比较该参考电流与该感测电流，以产生代表该选择的静态随机存取存储器单元中的一逻辑状态的一输出信号。
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