[发明专利]半导体元件、集成电路以及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200710085900.0 | 申请日： | 2007-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101079447A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 简幸仪;钟于彰;柳瑞兴;夏德殷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/04;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包括：第一高压阱区，具有第一掺杂杂质且设置于导体基底；第二高压阱区，具有第二掺杂杂质且设置于半导体基底，并侧向相邻于第一高压阱区；低压阱区，具有第二掺杂杂质且位于第二高压阱区的上方；漏极，具有第一掺杂杂质且设置于第一高压阱区；源极，具有第一掺杂杂质且设置于低压阱区；以及栅极，设置于半导体基底并侧向位于源极以及漏极之间，其中栅极包括薄栅极电介质以与栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 集成电路 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：一第一高压阱区，具有一第一掺杂杂质，设置于一半导体基底；一第二高压阱区，具有一第二掺杂杂质，设置于上述半导体基底，并侧向相邻于上述第一高压阱区；一低压阱区，具有上述第二掺杂杂质，位于上述第二高压阱区的上方；一漏极，具有上述第一掺杂杂质，设置于上述第一高压阱区；一源极，具有上述第一掺杂杂质，设置于上述低压阱区；以及一栅极，设置于上述半导体基底并侧向位于上述源极以及上述漏极之间，其中上述栅极包括一薄栅极电介质以及一栅极电极。
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