[发明专利]嵌埋半导体芯片的结构及其制法有效

专利信息
申请号: 200710086114.2 申请日: 2007-03-01
公开(公告)号: CN101256965A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 曾昭崇;许诗滨 申请(专利权)人: 全懋精密科技股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/12;H01L23/498
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种嵌埋半导体芯片的结构及其制法,该制法主要是提供一具相对的第一及第二表面的承载板,于该承载板中形成多个贯穿开口,且于该承载板的该第一表面形成围绕该些开口且未贯穿该承载板的第一沟槽,并于该些开口中各别容置半导体芯片,并将该承载板的该第一表面及该半导体芯片压合于一第一介电层上,以使该第一介电层填充于该第一沟槽中及该半导体芯片与该承载板之间的间隙中,且于该第二表面对应该第一沟槽位置形成第二沟槽,且使该第二沟槽与该第一沟槽相连通,藉以形成贯穿该承载板的沟槽,从而可通过该贯穿沟槽进行后续的切单作业,进而可有效利用承载板空间及提升排版率,且可减少成型时间。
搜索关键词: 半导体 芯片 结构 及其 制法
【主权项】:
1. 一种嵌埋半导体芯片的结构的制法,包括:提供一承载板,该承载板具有第一表面与相对的第二表面,于该承载板中形成多个贯穿开口,且于该承载板的该第一表面形成围绕该些开口且未贯穿该承载板的第一沟槽;提供一第一介电层,将该承载板的该第一表面置于该第一介电层上;提供一半导体芯片,其具有主动面与相对的非主动面,该主动面具有多个电极垫,该半导体芯片容置于该承载板的开口中,且该非主动面置于该第一介电层上,然后压合该承载板、该半导体芯片与该第一介电层以使该第一介电层填入该第一沟槽中及该半导体芯片与该承载板之间的间隙中,通过该第一介电层将该半导体芯片固定于该承载板的开口中;以及于该承载板的该第二表面对应该第一沟槽位置形成第二沟槽,且使该第二沟槽与该第一沟槽相连通,藉以形成贯穿该承载板的沟槽。
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