[发明专利]嵌埋半导体芯片的结构及其制法有效
申请号: | 200710086114.2 | 申请日: | 2007-03-01 |
公开(公告)号: | CN101256965A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 曾昭崇;许诗滨 | 申请(专利权)人: | 全懋精密科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/12;H01L23/498 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种嵌埋半导体芯片的结构及其制法,该制法主要是提供一具相对的第一及第二表面的承载板,于该承载板中形成多个贯穿开口,且于该承载板的该第一表面形成围绕该些开口且未贯穿该承载板的第一沟槽,并于该些开口中各别容置半导体芯片,并将该承载板的该第一表面及该半导体芯片压合于一第一介电层上,以使该第一介电层填充于该第一沟槽中及该半导体芯片与该承载板之间的间隙中,且于该第二表面对应该第一沟槽位置形成第二沟槽,且使该第二沟槽与该第一沟槽相连通,藉以形成贯穿该承载板的沟槽,从而可通过该贯穿沟槽进行后续的切单作业,进而可有效利用承载板空间及提升排版率,且可减少成型时间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 结构 及其 制法 | ||
【主权项】:
1. 一种嵌埋半导体芯片的结构的制法,包括:提供一承载板,该承载板具有第一表面与相对的第二表面,于该承载板中形成多个贯穿开口,且于该承载板的该第一表面形成围绕该些开口且未贯穿该承载板的第一沟槽;提供一第一介电层,将该承载板的该第一表面置于该第一介电层上;提供一半导体芯片,其具有主动面与相对的非主动面,该主动面具有多个电极垫,该半导体芯片容置于该承载板的开口中,且该非主动面置于该第一介电层上,然后压合该承载板、该半导体芯片与该第一介电层以使该第一介电层填入该第一沟槽中及该半导体芯片与该承载板之间的间隙中,通过该第一介电层将该半导体芯片固定于该承载板的开口中;以及于该承载板的该第二表面对应该第一沟槽位置形成第二沟槽,且使该第二沟槽与该第一沟槽相连通,藉以形成贯穿该承载板的沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全懋精密科技股份有限公司,未经全懋精密科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710086114.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种治疗牙周疾病的浸膏及其制备方法
- 下一篇:利用Taly纤维纺纱工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造