[发明专利]半导体晶圆结构有效
| 申请号： | 200710088724.6 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101150094A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡豪益;蔡佳伦;侯上勇;郑心圃;许仕勋;许惟迪;林克峰;陈俊仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为解决测试垫剥离问题，本发明提供一种半导体晶圆结构，包括多个晶粒。第一切割线沿第一方向延伸，第二切割线沿第二方向延伸且与该第一切割线交叉，其中该第一切割线与该第二切割线具有交叉区域。第一测试线形成于该第一切割线中，其中该第一测试线越过该交叉区域。多个第一测试垫形成于该第一测试线中，其中所述第一测试垫仅形成于未被占用的区域的外侧，该未被占用的区域实质上定义于该交叉区域中。本发明可显著减少低介电常数材料的剥离问题，并且不仅给测试线提供了设置上的较大弹性，还可增加测试线的长度及测试线中测试垫的数目，此外，还可在各晶圆中制造出更多的晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆结构，包括：第一切割线，沿第一方向延伸；第二切割线，沿第二方向延伸且与该第一切割线交叉，其中该第一切割线与该第二切割线具有交叉区域；第一测试线，在该第一切割线中，其中该第一测试线越过该交叉区域；以及多个第一测试垫，在该第一测试线中，其中所述多个第一测试垫仅形成于未被占用的区域的外侧，该未被占用的区域实质上定义于该交叉区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710088724.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于粗纱机的动力装置与车体分开的小滑车系统
- 下一篇：单拉绳上下开式窗帘
