[发明专利]电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法

摘要

本发明提供电介质陶瓷组合物的制造方法，其是制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物的方法：含有钛酸钡的主成分、含有R1的氧化物(其中，R1为选自9配位时的有效离子半径不到108pm的稀土元素中的至少一种)的第4副成分、含有R2的氧化物(其中，R2为选自9配位时的有效离子半径为108pm～113pm的稀土元素中的至少一种)的第5副成分，其具有下述工序：使主成分原料与第4副成分和/或第5副成分的原料的一部分预先反应，得到反应过的原料的工序；和向反应过的原料中添加其余的第4和第5副成分的原料的工序，在最终得到的电介质陶瓷组合物中，R1的摩尔数M1与R2的摩尔数M2之比(M1/M2)在4＜M1/M2≤100的范围。根据本发明，可提供即使将电介质层薄层化，也可兼顾相对介电常数和容量温度特性的电介质陶瓷组合物及其制造方法。

主权项

1.电介质陶瓷组合物的制造方法，其是制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物的方法，含有钛酸钡的主成分、含有R1的氧化物的第4副成分，其中，R1为选自由9配位时的有效离子半径不到108pm的稀土元素构成的第1元素组中的至少一种、和含有R2的氧化物的第5副成分，其中，R2为选自由9配位时的有效离子半径为108pm～113pm的稀土元素构成的第2元素组中的至少一种，其具有下述工序：使上述主成分的原料与将包含在上述电介质陶瓷组合物中的上述第4副成分的原料的一部分和/或上述第5副成分的原料的一部分预先反应，得到反应过的原料的工序；和向上述反应过的原料中添加将包含在上述电介质陶瓷组合物中的其余的上述第4副成分和上述第5副成分的原料的工序，在最终得到的上述电介质陶瓷组合物中，上述第4副成分R1的摩尔数M1相对于上述第5副成分R2的摩尔数M2之比M1/M2满足：4＜M1/M2≤100。