[发明专利]对快闪记忆单元元件执行操作的方法有效
| 申请号： | 200710090336.1 | 申请日： | 2007-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101159270A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;徐子轩;赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;G11C16/06;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种当浮置闸与控制闸之间的栅极耦合比小于0.4时使用的对快闪记忆单元元件执行操作的方法。需要越过控制闸施加电位。自控制闸注入电子至浮置闸或自浮置闸射出电子至控制闸。由提供于元件中的硅通道的性质决定与注入或射出相关联的操作。使用块体连接式FinFET状结构的元件特别适合于此方法。此方法亦特别适合用于NAND阵列中的记忆单元上。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 单元 元件 执行 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对快闪记忆单元元件执行操作的方法，其特征在于所述快闪记忆单元元件具有浮置闸与控制闸之间的小于0.4的栅极耦合比，所述对快闪记忆单元元件执行操作的方法包括：(a)越过所述控制闸提供电位；以及(b)自所述控制闸注入电子至所述浮置闸，或自所述浮置闸射出电子至所述控制闸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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