[发明专利]测量NAND闪存器件中的通道升压电压的方法无效
| 申请号： | 200710090410.X | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101051529A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 沈根守 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在测量通道升压电压的方法中，在具有一定电平的传递电压被提供给擦除单元中的未选择单元的条件下，根据向选择单元施加的传递电压的变化来测量传递干扰的阈值电压。随后，在具有一定电平的编程电压被提供给擦除单元中的选择单元的条件下，根据向未选择单元施加的传递电压的变化来测量编程干扰的阈值电压。然后，通过使用当传递干扰的阈值电压与编程干扰的阈值电压相同时施加的传递偏压，来测量通道升压电压。结果，当执行编程操作时，通道升压电压被准确监视。因此，可以容易地检测编程干扰特性，并且同样可以容易地分析良率和故障。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 nand 闪存 器件 中的 通道 升压 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量NAND闪存器件中的通道升压电压的方法，所述方法包含：向擦除单元之中的未选择单元施加传递偏压，并且根据向擦除单元之中的选择单元施加的第一传递偏压的电平来测量所述选择单元的第一阈值电压；向擦除单元之中的选择单元施加编程偏压，并且根据向所述未选择单元施加的第二传递偏压的电平来测量所述选择单元的第二阈值电压；检测当具有与编程操作中施加的传递偏压相同的电平的所述第二传递偏压被施加时已测量的所述第二阈值电压，并且检测当所述第一阈值电压与所述第二阈值电压相同时已施加的所述第一传递偏压的电平；以及通过使用所述检测的第一传递偏压的电平来测量所述通道升压电压。
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