[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件，其包括具有自对准接触的至少一个静态随机存取存储器(SRAM)单元。具体而言，该至少一个SRAM单元至少包括第一栅极导体，该第一栅极导体位于在源极区域与漏极区域之间的沟道区域上方。该第一栅极导体由包括保护性电介质材料的电介质帽盖所覆盖，而源极和漏极区域由非保护性电介质材料所覆盖，该非保护性电介质材料可以相对于保护性电介质材料而被选择性地去除。以此方式，可以透过非保护性电介质材料形成自对准的源极或漏极接触，以接触源极区域或漏极区域，同时在形成源极或漏极接触开口期间，电介质帽盖保护第一栅极导体，并由此防止在第一栅极导体和要形成的源极或漏极接触之间短路。

主权项

1.一种半导体器件，包括至少一个静态随机存取存储器(SRAM)单元，该静态随机存取存储器单元至少具有第一栅极导体，该第一栅极导体位于在源极区域和漏极区域之间的沟道区域上方，其中所述第一栅极导体由包括保护性电介质材料的电介质帽盖所覆盖，其中所述源极和漏极区域由非保护性电介质材料所覆盖，该非保护性电介质材料可以相对于所述保护性材料而被选择性地去除，其中所述第一栅极导体不具有位于其上方的栅极接触，并且其中所述源极和漏极区域中的至少一个区域具有位于其上方的源极或漏极接触。