[发明专利]校正外延反应腔温度的方法有效
| 申请号： | 200710094103.9 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101399163A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王剑敏;徐伟中 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种校正外延反应腔温度的方法，包括：同时在一批次的硅片的上淀积同步掺杂的多晶硅层或非晶硅层，并分别测量每个硅片上多晶硅层或非晶硅层的掺杂量和厚度；在多晶硅层或非晶硅层上淀积等离子体氧化层；用不同温度点，分别对淀积等离子体氧化层后的硅片在外延反应腔中进行退火处理；去除经退后处理后的硅片表面的等离子体氧化层；测量退火处理后多晶硅层或非晶硅层的方块电阻，并计算出该层的电阻率；将不同退火温度下得到的多晶硅层或非晶硅层的电阻率和参考电阻率对比，确定校正温度。本发明的方法具有重复性好，简单易行的特点，且可以通过再生将多晶硅去除，硅片可以使用多次，可广泛应用于外延腔的温度校正。 | ||
| 搜索关键词： | 校正 外延 反应 温度 方法 | ||
【主权项】：
1、一种校正外延反应腔温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)同时在一批次的硅片上淀积同步掺杂的多晶硅层或非晶硅层，并分别测量每个硅片上多晶硅层或非晶硅层的掺杂量和厚度；(2)在多晶硅层或非晶硅层上淀积低温等离子体氧化层；(3)用等温差的多个温度点，分别对淀积等离子体氧化层后的硅片在外延反应腔中进行退火处理；(4)去除经退后处理后的硅片表面的等离子体氧化层；(5)测量退火处理后多晶硅层或非晶硅层的方块电阻，并结合多晶硅层或非晶硅层的厚度计算出电阻率；(6)将不同退火温度下得到的多晶硅层或非晶硅层的电阻率和参考电阻率对比，确定校正温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
