[发明专利]金属层电路版图形预修正的方法有效
| 申请号： | 200710094121.7 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101398613A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 魏芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属层电路版图形预修正的方法，该金属层电路版图形中包括一维图形和二维图形，其特征在于：在用光学临近修正软件对所述金属层电路版图形作常规的光学临近修正步骤之前，将金属层电路版图形中的二维图形放大。经本发明的方法预修正，最终得到的该金属层光掩膜图形光刻后，增加了金属层与相邻的引线孔层的交迭空间，同时本发明的方法中修正片断与常规的光学临近修正中的修正片断一致，并未增加太多的光学临近修正程序运行的时间，可用于所有的金属层电路版图形光学临近修正前的预修正中。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 电路 版图 修正 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属层电路版图形预修正的方法，所述金属层电路版图形经光学临近修正后为金属层光掩膜图形，该金属层电路版图形中包括一维图形和二维图形，其特征在于：在用光学临近修正软件对所述金属层电路版图形作常规的光学临近修正步骤之前，将所述的金属层电路版图形中的二维图形放大。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
