[发明专利]一种提高压焊点耐腐蚀性的方法无效
| 申请号： | 200710094133.X | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101409242A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 徐俊杰;王乐平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高压焊点耐腐蚀性的方法，该方法将刻蚀出压焊点的硅片，先去除刻蚀残留物，再钝化压焊点表面的化学活性。所述钝化压焊点表面的化学活性包括使用紫外线照射压焊点，使压焊点表面生成耐腐蚀的氧化层。作为本发明的进一步改进，该方法将硅片放置在加热设备周围或内部，同时钝化压焊点表面的化学活性。由此，本发明通过钝化压焊点表面的化学活性实现提高压焊点的耐腐蚀性，还可以通过提高钝化时的温度加速实现，对设备要求简单，作业时间短，改善效果显著。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 压焊点耐 腐蚀性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是：该方法将刻蚀出压焊点的硅片，先去除刻蚀残留物，再钝化压焊点表面的化学活性。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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