[发明专利]SONOS存储管的器件结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200710094270.3 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101442076A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 孙亚亚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS存储管的器件结构，在衬底中部上设置有栅氧化层，所述栅氧化层上方设置有选择管，所述栅氧化层和选择管的两侧分别设置有缺口向外的“L”形ONO层，所述ONO层的缺口位置设置有存储管，在所述两个存储管和ONO层的外侧的衬底上，一侧设置源极，另一侧设置漏极。本发明还公开了一种制作上述SONOS存储管器件结构的方法，利用侧墙刻蚀来形成SONOS存储管，并且同时形成双比特的SONOS存储单元，其制作方法步骤简单，易于实现，并且使得SONOS存储管所占用的存储单元的面积大大减小，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种SONOS存储管的器件结构，其特征在于，在衬底中部上设置有栅氧化层，所述栅氧化层上方设置有选择管，所述栅氧化层和选择管的两侧分别设置有缺口向外的“L”形ONO层，所述ONO层的缺口位置设置有存储管，在所述两个存储管和ONO层的外侧的衬底上，一侧设置源极，另一侧设置漏极。
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