[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 200710094282.6 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447431A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;周晓君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，通过在用化学气相沉积的方法淀积二氧化硅之前，增加淀积碳化硅的步骤，从而减少了低压化学气相淀积二氧化硅及后续氧化物淀积过程中水分子通过侧墙边缘向沟道区域的横向扩散作用，从而减弱了由氧化增强扩散效应(OED)和分凝效应所引起的源漏边缘区域，甚至是短沟器件沟道区域中硼掺杂浓度的降低，尤其是窄的短沟器件的寄生晶体管由于二维扩散效应硼掺杂浓度更低，从而减少了窄的短沟器件的阈值电压的降低，进而达到了减少长沟和短沟器件窄沟效应差别的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在已形成有P型阱区、屏蔽氧化层、栅极和栅极侧墙的硅片上，通过屏蔽氧化层进行源漏离子注入；(2)进行源漏热退火；(3)在所述硅片上淀积一层碳化硅；(4)采用低压化学气相沉积的方法，在所述碳化硅上再淀积一层二氧化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710094282.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光电耦合器件
- 下一篇：一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
