[发明专利]实现HALL芯片硅片级测试的探针卡及测试方法有效

专利信息
申请号: 200710094361.7 申请日: 2007-11-30
公开(公告)号: CN101452009A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 武建宏 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G01R1/073 分类号: G01R1/073;G01R1/18;G01R31/00;G01R31/28;G01R33/02
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 周 赤
地址: 201206上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种实现HALL芯片硅片级测试的探针卡,包括多个探针;还包括一个HALL传感器,该HALL传感器连接在两个探针的探测端上。本发明还公开了一种相应测试方法,包括如下步骤:将探针卡置于M1磁场下,测量感应电流I1;将探针卡置于实际测量环境磁场M2中,测量感应电流I2;测量被测HALL芯片上的HALL传感器在实际M2磁场下的感应电流I3;根据公式I1∶I2=M1∶M2=ΔI∶I3,计算出磁场M1下的感应电流ΔI作为补正值,写入被测HALL芯片中。因为本发明的探针卡采用一个HALL传感器测试感应电流,进而求出感应磁场的强度,可以在硅片级测试中对被测芯片的感应初始值进行调整,实现同测。
搜索关键词: 实现 hall 芯片 硅片 测试 探针 方法
【主权项】:
1、一种实现HALL芯片硅片级测试的探针卡,包括多个探针;其特征在于,还包括一个HALL传感器,所述HALL传感器连接在两个所述探针的探测端上。
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