[发明专利]提高自对准接触孔击穿电压的方法和多晶硅栅极结构有效
| 申请号： | 200710094393.7 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101452814A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 迟玉山;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/3105;H01L21/311;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高自对准接触孔击穿电压的方法，包括以下步骤：1.在硅衬底上的氧化层上依次淀积多晶硅、氧化膜和硬质掩膜层；2.从上往下依次刻蚀硬质掩膜层、氧化膜层和多晶硅，形成多晶硅栅极，并对多晶硅顶部顶角进行圆化；3.在多晶硅栅极的侧面生长氧化膜层；4.生长侧墙；5.刻蚀自对准接触孔。一种多晶硅栅极结构，包括自下往上依次为多晶硅层、氧化膜层和硬质掩膜层。本发明在硬质掩膜层和多晶硅层之间增加一层氧化物薄膜层作为多晶硅栅极结构，通过对多晶硅栅顶部顶角的圆化，在栅极顶部顶角处形成相对较厚的氧化膜和氮化膜，提高自对准接触孔的击穿电压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 对准 接触 击穿 电压 方法 多晶 栅极 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种提高自对准接触孔击穿电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在硅衬底上的氧化层上依次淀积多晶硅、氧化膜和硬质掩膜层；第二步，在涂布光刻胶和光刻之后，从上往下依次刻蚀硬质掩膜层、氧化膜层和多晶硅，形成多晶硅栅极，并对多晶硅顶部顶角进行圆化；第三步，在多晶硅栅极的侧面生长氧化膜层；第四步，生长侧墙；第五步，在生长层间介质膜、对层间膜进行化学机械研磨并进行接触孔光刻之后，刻蚀自对准接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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