[发明专利]再分布金属层及再分布凸点的制作方法有效
| 申请号： | 200710094471.3 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459088A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李润领;靳永刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种再分布金属层的制作方法，包括：提供表面具有钝化层的晶片，钝化层具有第一开口，焊盘位于第一开口内，所述钝化层及焊盘上形成有带露出焊盘的第二开口的第一绝缘层；在第一绝缘层上及第二开口内形成再分布金属层；在再分布金属层表面形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成与第二开口错开分布的第三开口，曝露出再分布金属层；通入不与再分布金属层反应的气体，去除第三开口内的第二绝缘层残渣。本发明还提供一种再分布凸点的制作方法。本发明通入不与再分布金属层反应的气体，去除第三开口内的第二绝缘层残渣。使再分布金属层不被气体腐蚀，保持完整，使后续制作的凸点的电性能及可靠性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 再分 金属 布凸点 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种再分布金属层的制作方法，其特征在于，包括：提供表面具有钝化层的晶片，钝化层具有第一开口，焊盘位于第一开口内，所述钝化层及焊盘上形成有带露出焊盘的第二开口的第一绝缘层；在第一绝缘层上及第二开口内形成再分布金属层；在再分布金属层表面形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成与第二开口错开分布的第三开口，曝露出再分布金属层；通入气体，去除第三开口内的第二绝缘层残渣，所述气体不与再分布金属层反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
