[发明专利]浅沟槽隔离结构、形成方法及研磨方法无效
| 申请号： | 200710094546.8 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459114A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董立闽;李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上已形成停止层；在所述衬底上定义浅沟槽图形；在所述已形成停止层的衬底内形成浅沟槽；在所述停止层上及所述浅沟槽内沉积填充物；对沉积所述填充物后的衬底进行平坦化处理，且处理时通过控制所述浅沟槽内的填充物与所述停止层的高度差来防止所述浅沟槽内的填充物出现凹陷。本发明还提供了一种相应的浅沟槽隔离结构及研磨方法。采用本发明的研磨方法、浅沟槽隔离结构及其形成方法后，能保持浅沟槽内填充物的平整，提高了浅沟槽隔离结构的形成质量。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 研磨 | ||
【主权项】：
1、一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底上已形成停止层；在所述衬底上定义浅沟槽图形；在所述已形成停止层的衬底内形成浅沟槽；在所述停止层上及所述浅沟槽内沉积填充物；对沉积所述填充物后的衬底进行平坦化处理，且处理时通过控制所述浅沟槽内的填充物与所述停止层的高度差来防止所述浅沟槽内的填充物出现凹陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
