[发明专利]晶体管相对精度模型方法

摘要

本发明公开了一种晶体管相对精度模型方法通过测量相邻晶体管不同Vds和Vgs偏压点的电流值，归纳不同晶体管尺寸，不同偏压下其电流差值，通过选取合适的模型参数，定义准确的模型参数公式进行描述，并通过一定的模型参数提取方法，提取相对精度模型参数，使该模型能反映不同尺寸，不同偏压下的相邻晶体管的电流差值。本发明对不同器件尺寸、不同电压偏压条件下的电流标准偏差进行模型化，提高了模拟集成电路设计的工作效率与准确性。

主权项

1. 一种晶体管相对精度模型方法，其特征在于，包括如下步骤测试不同器件尺寸，包括晶体管沟道的宽度W和晶体管沟道的长度L，测试不同偏压条件下相邻晶体管的电流值，测试大量晶圆上不同芯片单位的数据，并根据这些数据计算成对的芯片的电流差值ΔId，统计出ΔId的3sigma值；对VTHO，Tox，K1，U0，RDSW，LINT，WINT七个模型参数进行模型化，其中Param＝Param_org+Δparam；其中Param是VTHO、Tox、K1、U0、RDSW、LINT、WINT七个模型参数，Param_org是VTHO、Tox、K1、U0、RDSW、LINT、WINT七个模型参数在普通模型中的值，Δparam是ΔVTHO、ΔTox、ΔK1、ΔU0、ΔRDSW、ΔLINT、ΔWINT七个模型参数，A1，B1，C1，D1，E1，F1，G1为待定系数，M为并联晶体管数目，根据所测试的大量晶圆上不同芯片单位的数据对所述待定系数进行拟合。