[发明专利]半导体存储装置无效

专利信息
申请号: 200710096079.2 申请日: 2007-04-13
公开(公告)号: CN101055768A 公开(公告)日: 2007-10-17
发明(设计)人: 都昌镐 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C29/14 分类号: G11C29/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文;黄小临
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明披露了一种半导体装置,其包括:多个第一垫片;多个端口,其用于经由所述第一垫片来与外部装置进行串行数据通信;多个存储器组,其用于与该多个端口进行并行数据通信;多个全域数据总线,其用于支持在该多个端口与该多个存储器组之间的并行数据通信;及一测试模式控制器,其用于在一内核测试模式期间藉由将串行数据通信转换为并行数据通信而在各种数据传送模式下进行一内核测试。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其包含:多个第一垫片;多个端口,其用于经由所述第一垫片与外部装置进行一串行数据通信;多个存储器组,其用于与该多个端口进行一并行数据通信;多个全域数据总线,其用于支持在该多个端口与该多个存储器组之间的该并行数据通信;以及一测试模式控制器,其用于在一所选内核测试模式期间藉由将该串行数据通信转换为该并行数据通信而执行一内核测试。
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