[发明专利]膜图案的形成方法、有源矩阵基板的制造方法无效
| 申请号： | 200710096194.X | 申请日： | 2007-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101060071A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 守屋克之;平井利充 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/84;H01L21/768;H05B33/10;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种有助于降低制造成本的制造方法。其中在由设于基板(18)上的围堰(34)划分的图案形成区域内配置功能液，形成膜图案。具有：在基板(18)上配置第一围堰形成材料，形成第一围堰层(35)的工序；和在第一围堰层(35)上形成第二围堰层(36)的工序。第一围堰形成材料为有机材料，第二围堰层(36)由被覆第一围堰层(35)的氟系树脂材料构成。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 有源 矩阵 制造 | ||
【主权项】：
1.一种膜图案的形成方法，是在由设于基板上的围堰划分的图案形成区域内配置功能液，以形成膜图案的方法，其特征在于，具有：在基板上配置第一围堰形成材料，形成第一围堰层的工序；和在所述第一围堰层上形成第二围堰层的工序，所述第一围堰形成材料为有机材料，所述第二围堰层由被覆所述第一围堰层的氟系树脂材料构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710096194.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
