[发明专利]磁传感器和存储装置无效
| 申请号： | 200710096498.6 | 申请日： | 2007-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101114456A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 北岛政充 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁传感器和存储装置，提供了一种隧道效应型磁阻头，该磁阻头可在不降低屏蔽效应的情况下，防止由于与磁记录介质进行接触而引起的隧道效应型磁阻效应元件的劣化。为了以上目的，在该隧道效应型磁阻头中，减小了从气垫面观看的屏蔽电极层的暴露表面积，并且在该屏蔽电极层外侧还设置有屏蔽层。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，所述磁传感器具有基于从介质产生的磁通量的大小来获得信息的磁阻元件，所述磁传感器包括：由磁性材料构成的两个电极层，所述两个电极层夹着所述磁阻元件，用于向所述磁阻元件施加电流；至少一个屏蔽层，所述至少一个屏蔽层用于屏蔽所述磁阻元件以使其免受所述磁通量的影响，被布置在与所述电极层中的至少一个的面向所述磁阻元件的表面的相对侧；以及至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层用于使所述磁阻元件与所述屏蔽层热绝缘，位于所述电极层中的所述至少一个与所述屏蔽层之间。
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