[发明专利]利用延迟反转点技术检测充电效应的测试结构与方法有效
| 申请号： | 200710096718.5 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101055848A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 郭明昌;李明修;吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体工艺测试结构，其包括栅极、电荷陷获层、以及扩散区域。此测试结构为类电容结构，其中此电荷陷获层将在不同工艺步骤中陷获电荷。接着可利用电容－电压测量以检测使否有产生Vfb偏移。若此工艺步骤产生了充电效应，则所诱发的电荷将不均匀。若在测试结构中的电荷不均匀，则不会有Vfb偏移。接着则可使用延迟反转点技术，以监控此充电状态。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 延迟 反转 技术 检测 充电 效应 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以监控从半导体工艺步骤中所获得的硅衬底上所形成的测试结构中的电荷状态的方法，该方法包括：使该测试结构进入该半导体工艺步骤；在该测试结构上实施电容-电压(CV)测量以获得电容-电压量变曲线；根据该测量而检测在该电容-电压量变曲线中是否产生偏移；以及当无偏移时，至少部分根据延迟反转点信息而监控该测试结构的该电荷状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
