[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200710097015.4 | 申请日： | 2007-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101068013A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 杨智超;考施克·查恩达 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体结构及其制造方法，提供了一种互连结构，其在部件侧壁上的阻挡材料覆盖度大于在部件底部上所述阻挡材料的厚度，并提供了制造这种互连结构的方法。本发明的互连结构与现有技术的互连结构相比，其中阻挡材料通过传统的PVD处理、传统的离子化等离子体沉积、CVD或ALD加以形成，对半导体工业而言具有更高的技术可扩展性。根据本发明，提供了一种互连结构，其在部件侧壁上的阻挡材料厚度(wt)大于在部件底部上的阻挡材料厚度(ht)。也就是说，在本发明的互连结构中，wt/ht的比值等于或大于100％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：电介质材料，具有位于其中的至少一个开口，所述至少一个开口包括延伸并与底壁部分相接触的侧壁；材料堆叠，其至少包括位于所述至少一个开口内的扩散阻挡材料，覆盖所述侧壁和所述底壁部分，其中所述材料堆叠在所述侧壁上的厚度大于在所述底壁部分的厚度；以及导电材料，其位于所述至少一个开口内的所述材料堆叠上。
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