[发明专利]半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200710097020.5 | 申请日： | 2007-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101079394A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 考什克·A·库玛尔;凯文·S.·佩特拉卡;斯特凡·格鲁诺夫;劳伦斯·A·克莱文格;维德赫亚·拉马昌德拉;泽奥多鲁斯·E.·斯坦达耶尔特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括多条形成于层间电介质(ILD)层内的导线，和一个形成于ILD层和导线上面的非平面帽层，其中该帽层在导线之间的位置处相对于导线抬高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体结构的方法，该方法包括：在上面形成有硬掩模层的层间电介质(ILD)层内限定多条导线；将导线的填充材料凹陷到低于所述ILD层的顶部的水平；在所述凹陷的填充材料的顶部形成保护性绝缘层；在所述硬掩模层内限定穹形图形，借此除去所述保护性绝缘层；除去所述硬掩模层，以便将所述穹形图形转移到所述ILD层的顶部；和在所述ILD层和所述导线上方形成帽层，其中所述帽层采取所述穹形图形的形式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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