[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。为了防止场效应晶体管的电击穿而隔着场氧化膜形成在N－型漏极区域上的静电放电保护元件和保护电阻器，分别构成为一个或多个第一层的N+型多晶硅区域和第二层的P+型多晶硅区域的堆叠型双向齐纳二极管、以及一个或多个第一层的N+型电阻器层和第二层的N+型电阻器层的堆叠型电阻器。多个第一层的N+型多晶硅区域的一端连接到外部栅电极端子，而另一端连接到源电极。多个第一层的N+型电阻器层的一端连接到栅电极，而另一端连接到外部栅电极端子。通过使用形成异质半导体区域和栅电极的半导体膜，分别形成第一层和第二层的半导体区域。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体基体；异质半导体区域，其与所述半导体基体的第一主面接触且由带隙与所述半导体基体不同的半导体材料形成；栅电极，其隔着栅绝缘膜形成在靠近所述异质半导体区域与所述半导体基体的接合部分的一部分处；源电极，其连接到所述异质半导体区域；以及漏电极，其连接到所述半导体基体，所述半导体装置包括：静电保护无源元件，其隔着场绝缘膜形成在所述半导体基体上，其中，由包括一个或多个第一层的半导体区域、一个或多个第二层的半导体区域、以及所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域相互垂直交叠且接触的接触区域的堆叠型半导体区域构成所述静电保护无源元件。