[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710097691.1 | 申请日： | 2007-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101064344A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 林哲也;星正胜;下井田良雄;田中秀明;山上滋春 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;权鲜枝 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置设置有：预定导电类型的半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底的第一主表面接触，该异质半导体区包括能带隙与半导体衬底的能带隙不同的半导体材料；栅极，在与异质半导体区和半导体衬底之间的接合区接近的位置处通过栅绝缘层形成栅极；源极，其连接到异质半导体区；以及漏极，其连接到半导体衬底，其中，异质半导体区包括与源极接触的接触部分，该接触部分的至少一部分区域的导电类型与半导体衬底的导电类型相同，该一部分区域的杂质浓度高于异质半导体区中被布置为通过栅绝缘层面对栅极的栅极面对部分的至少一部分区域的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：预定导电类型的半导体衬底；异质半导体区，其与所述半导体衬底的第一主表面接触，所述异质半导体区包括能带隙与所述半导体衬底的能带隙不同的半导体材料；栅极，在与所述异质半导体区和所述半导体衬底之间的接合区接近的位置处通过栅绝缘层形成所述栅极；源极，其连接到所述异质半导体区；以及漏极，其连接到所述半导体衬底，其中，所述异质半导体区包括与所述源极接触的接触部分，所述接触部分的至少一部分区域的导电类型与所述半导体衬底的导电类型相同，所述一部分区域的杂质浓度高于所述异质半导体区中被布置为通过所述栅绝缘层面对所述栅极的栅极面对部分的至少一部分区域的杂质浓度。
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