[发明专利]一种可修复的像素结构有效
| 申请号： | 200710099778.2 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101315505A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赵继刚;金基用;徐宇博 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可修复的像素结构，包括：栅线和数据线，栅线和数据线交叉定义一个像素单元，每一像素单元包括：薄膜晶体管器件和透明像素电极，薄膜晶体管的沟道旁边形成有备用的源电极、备用的漏电极和备用的沟道。其中备用的源电极为所述薄膜晶体管的源电极或为所述薄膜晶体管的源电极的一部分；备用的漏电极的部分位于像素电极之下；薄膜晶体管的沟道为U型；备用的沟道为一字型。本发明通过TFT旁边上增加备用的TFT，即TFT沟道旁边增加沟道修复部分，在原有的TFT发生缺陷时，启动备用的TFT，从而提高阵列基板的成品率和优等品率，进一步降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修复 像素 结构 | ||
【主权项】：
1、一种可修复的像素结构，包括：栅线和数据线，栅线和数据线交叉定义一个像素单元，每一像素单元包括：薄膜晶体管器件和透明像素电极，其特征在于：所述薄膜晶体管的沟道旁边形成有备用的源电极、备用的漏电极和备用的沟道。
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