[发明专利]减少存储元件间耦合效应的非易失性存储设备和相关方法

摘要

一种非易失性半导体存储设备，包括第一和第二子存储器阵列和被安排在第一和第二子存储器阵列之间的母线。所述第一子存储器阵列的编程操作，通过同时施加编程电压到与所述第一子存储器阵列中的存储单元相连接的奇数和偶数位线而进行。

主权项

1.一种操作非易失性存储设备的方法，其中，所述非易失性存储设备包括存储器阵列，所述存储器阵列包括第一子存储器阵列、第二子存储器阵列、和母线，所述第一子存储器阵列包括多个单元串和分别地连接于所述多个单元串的多个偶数和奇数位线，所述第二子存储器阵列包括多个单元串和分别地连接于所述多个单元串的多个偶数和奇数位线，所述母线在所述第一子存储器阵列和所述第二子存储器阵列之间沿列方向延伸，所述方法包括：接收要被编程的页数据；以及把与所述页数据相对应的位线电压同时施加到所述第一子存储器阵列中的多个偶数和奇数位线，以在所述第一子存储器阵列中的多个单元串中，对所述页数据进行编程。