[发明专利]带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件有效
| 申请号： | 200710101379.5 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101110268A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | A·卡尔尼特斯基;M·丘奇 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C11/56;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据一个实施例的一种多次可编程(MTP)存储单元，包括浮栅PMOS晶体管、高压NMOS晶体管、以及n阱电容器。浮栅PMOS晶体管包括形成该存储单元第一端子的源极，并包括漏极和栅极。该高压NMOS晶体管包括连接地的源极、连接于PMOS晶体管漏极的延长的漏极、以及形成该存储单元第二端子的栅极。该n阱电容器包括连接于PMOS晶体管栅极的第一端子、以及形成该存储单元第三端子的第二端子。该浮栅PMOS晶体管可存储一逻辑状态。可对存储单元的第一、第二和第三端子施加各种电压的组合以编程、禁止编程、读取和擦除该逻辑状态。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 氧化 多次 可编程 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种多次可编程(MTP)存储单元，包括：浮栅PMOS晶体管，包括形成所述存储单元的第一端子的源极、并包括漏极和栅极；高压NMOS晶体管，包括源极、连接于所述PMOS晶体管漏极的延长的漏极、以及形成所述存储单元的第二端子的栅极；以及n阱电容器，包括连接于所述PMOS晶体管的栅极的第一端子、以及形成所述电路的第三端子的第二端子；其中所述浮栅PMOS晶体管可存储一逻辑状态；以及其中可对所述存储单元的第一、第二和第三端子施加各种电压的组合以编程、禁止编程、读取和擦除由所述浮栅PMOS晶体管存储的逻辑状态。
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