[发明专利]结合在晶片上的粘结膜的分断方法有效
申请号: | 200710101831.8 | 申请日: | 2007-04-25 |
公开(公告)号: | CN101064274A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪斯科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/301;H01L21/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种将晶片接合用粘结膜分断成与多个器件相对应的多块的方法,所述粘结膜与如下晶片的后表面结合,即,其在由分割预定线分开的多个区域中具有所述多个器件,所述分割预定线以格子样式形成于前表面上,所述方法包括以下步骤:将晶片的粘结膜侧放置在安装于环形框架上的切分胶带的前表面上;沿着分割预定线将以其粘结膜侧放置在切分胶带上的晶片切割成多个器件,并且以保留未切割部分的方式不完全地切割粘结膜;以及在切割步骤之后扩张所述切分胶带,以将粘结膜分断成与所述器件相对应的多块。 | ||
搜索关键词: | 结合 晶片 粘结 方法 | ||
【主权项】:
1、一种晶片接合用粘结膜的分断方法,其中所述粘结膜结合在晶片的后表面上,所述晶片在由形成于其前表面上的格子样式的分割预定线分开的多个区域中具有器件,所述方法将粘结膜分断成与所述器件相对应的多块,所述方法包括以下步骤:将晶片的粘结膜侧放置在安装于环形框架上的切分胶带的前表面上;沿着分割预定线将以其粘结膜侧放置在切分胶带上的晶片切割成多个器件,并且以保留未切割部分的方式不完全地切割粘结膜;以及在切割步骤之后扩张所述切分胶带,以将粘结膜分断成与所述器件相对应的多块。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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