[发明专利]半导体装置及集成电路有效
申请号: | 200710101842.6 | 申请日: | 2007-04-25 |
公开(公告)号: | CN101174620A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 陈家逸;张家龙;赵治平 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭晓东 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体装置,包括:第一电容组件及第二电容组件。第一电容组件包括彼此连接的多个第一单元电容组件,且每一第一单元电容组件具有第一单元电容值,而第二电容组件包括彼此连接的多个第二单元电容组件,且每一第二单元电容组件具有第二单元电容值,其中所述第一单元电容组件与第二单元电容组件具有相同的数量。所述第一单元电容组件与第二单元电容组件排列成一个阵列,并在每一列及每一栏中交替排置且总数分别大于2。同时,本发明还公开了一种集成电路,包括有上述电容组件阵列。总之,本发明通过有效降低工艺变异的敏感性,使得在不增加电容值不匹配的情形下可以形成较大的电容组件对。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:第一电容组件,包括多个第一单元电容组件彼此连接,且每一第一单元电容组件具有第一单元电容值;以及第二电容组件,包括多个第二单元电容组件彼此连接,且每一第二单元电容组件具有第二单元电容值,其中所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件具有相同的单元电容组件数量;其中所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件排列成一阵列,且在每一列及每一栏中交替排置,而所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件的总数均分别大于2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的