[发明专利]复合覆盖层及其制作方法无效
| 申请号： | 200710101861.9 | 申请日： | 2007-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101295672A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈韦志;宋述仁;许丰裕;黄俊杰;陈美玲;邱建智 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/31;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种复合覆盖层的制作方法，包含有提供基底、在该基底表面形成复合覆盖层。该复合覆盖层至少包含有第一覆盖层与形成于其上的第二覆盖层。在该复合覆盖层表面形成图案化的金属硬掩模层，以及进行蚀刻工艺，经由该图案化的金属硬掩模层蚀刻该复合覆盖层，在该第二覆盖层中形成至少一开口。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 覆盖层 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种复合覆盖层的制作方法，包含有以下步骤：提供基底，该基底至少包含有导电层、底层以及介电层；在该基底表面形成复合覆盖层，且该复合覆盖层至少包含有第一覆盖层与形成于该第一覆盖层上的第二覆盖层；在该复合覆盖层表面形成图案化的金属硬掩模层；以及进行蚀刻工艺，经由该图案化的金属硬掩模层蚀刻该复合覆盖层，且在该第二覆盖层中形成至少一开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
