[发明专利]多晶硅控制的回蚀刻显示器有效
| 申请号： | 200710102457.3 | 申请日： | 2007-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101127364A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 王宇;李铁生;戴嵩山;常虹 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L27/04;H01L21/306;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 该发明公开了一种生产电子线路的半导体晶圆。这种半导体基片进一步包括一个回蚀刻显示器，该显示器包括有不同尺寸的沟槽，沟槽中充填有多晶硅。然后，多晶硅又从那些较大平面尺寸的沟槽中全部清除，但在那些较小平面尺寸的沟槽底部仍然保留有多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 控制 蚀刻 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述半导体晶圆进一步包括：一个包括有不同平面尺寸沟槽的回蚀刻显示器，所述沟槽中充填有多晶硅，其中，所述多晶硅已丛某些较大平面尺寸的沟槽中全部清除，而在一些较小平面尺寸的所述沟槽的底部部分中仍然保留有所述多晶硅。
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