[发明专利]非易失半导体存储装置及其编程方法有效
| 申请号： | 200710102821.6 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101303893A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 林扬杰 | 申请（专利权）人： | 晶豪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛宝成 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种非易失性半导体存储装置的编程方法，其包含提供一位线电压来编程一群组的存储器存储单元以及检测该位线电压是否达到一选择目标电压值。当该位线电压达到该选择目标电压值时，则对该群组的存储器存储单元执行编程的操作，当该位线电压尚未达到该选择目标电压值时，则编程的操作至少独立的执行于该群组内的一第一子群组的存储器存储单元以及该群组内的一第二子群组的存储器存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 半导体 存储 装置 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性半导体存储装置的编程方法，包含下列步骤：提供一位线电压来编程一群组的存储器存储单元；检测该位线电压是否达到一选择目标电压值；当该位线电压达到该选择目标电压值时，则对该群组的存储器存储单元执行编程的操作；以及当该位线电压尚未达到该选择目标电压时，则编程的操作至少独立的执行于该群组内的一第一子群组的存储器存储单元以及该群组内的一第二子群组的存储器存储单元。
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