[发明专利]自对准器件接触的方法和结构

摘要

公开了具有部分自对准的接触的半导体结构的实施例，其中所述接触的下部被增大以减小电阻而不影响器件产量。此外，所述结构可选地包括厚的中间制程(MOL)氮化物应力层以增大载流子迁移率。形成所述结构的方法的实施例包括在所述接触的希望的位置中形成牺牲部分。构图该部分，以便其自对准所述栅电极，并仅占据希望用于未来的接触的空间。一旦牺牲部分在其适当的位置，可以淀积介电层(例如可选的应力层，其后为层间电介质)。将常规接触光刻用于穿过介电层使接触孔蚀刻至所述牺牲部分。然后选择性地去除所述牺牲部分以形成空腔，并在所述空腔和接触孔中形成所述接触。

主权项

1.一种半导体结构，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的至少两个栅电极；与每个所述栅电极邻接的侧壁隔离物；在所述栅电极之间的所述半导体衬底上的硅化物区域；以及在所述硅化物区域上的接触，其中所述接触包括在所述硅化物区域上的下部和在所述下部上的上部，所述下部在所述侧壁隔离物之间延伸并沿着所述侧壁隔离物的轮廓，以及其中所述自对准的下部包括与所述硅化物区域邻接的底面和与所述上部邻接的顶面，以及其中所述上部比所述顶面窄。