[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一区，其中形成包括叠层结构栅极的晶体管；第二区，其中形成包括单层结构栅极的晶体管；以及第三区，位于第一区与第二区之间的边界部分中。该方法包括：沉积第一导电膜，图案化第一区和第三区中的第一导电膜以使得其外部边缘位于第三区中，沉积第二导电膜，图案化第二导电膜以在第一区中形成控制栅同时保留第二导电膜，以使得第二导电膜覆盖第二区并使得其内部边缘位于第一导电膜的外部边缘的内侧，以及图案化第二区中的第二导电膜以形成栅极。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包括半导体衬底上的第一区、第二区以及环形第三区，所述第一区中形成第一晶体管，所述第一晶体管包括具有浮栅和控制栅的叠层结构的第一栅极，所述第二区中形成第二晶体管，所述第二晶体管包括单层结构的第二栅极，所述环形第三区位于所述第一区与所述第二区之间的边界部分，所述方法包括以下步骤：在所述半导体衬底的第一区、第二区以及第三区上方形成第一导电膜；除去所述第二区中的第一导电膜，同时将所述第一区和所述第三区中的第一导电膜图案化，使得所述第一导电膜的外部边缘位于所述第三区中；在所述半导体衬底的第一区中，形成覆盖所述第一导电膜的第一绝缘膜；在所述半导体衬底的第一区、第二区以及第三区上方形成第二导电膜；将所述第二导电膜图案化，以在所述第一区中形成所述第二导电膜构成的控制栅，同时保留所述第二导电膜，使得所述第二导电膜覆盖所述第二区并且位于所述第三区中，所述第二导电膜的内部边缘位于所述外部边缘的内侧；将所述第一区中的第一绝缘膜和第一导电膜图案化，以形成所述第一导电膜构成的浮栅；以及将所述第二区中的第二导电膜图案化，以在所述第二区中形成所述第二导电膜构成的第二栅极。