[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710103973.8 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101075614A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 胜木信幸;二阶堂裕文;小林道弘;川胜康弘 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/11;H01L23/528;H01L23/552 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，包括：内部层，其中放置有用于将第一电源提供给布图单元中的晶体管的第一电源线以及用于连接布图单元中的晶体管的内部单元线；放置了与布图单元的输出/输出端相连的输入/输出线；以及被放置在内部层与输出/输出线之间的屏蔽线，以便覆盖内部层和第一电源线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：内部层，包括内部单元线，该内部单元线与形成在布图单元中的晶体管节点相连；第一电源线，用于将预定电压提供给布图单元；输入/输出线，其与布图单元中的晶体管的输入/输出端相连；以及屏蔽线，其被放置在内部层与输入/输出线之间，以便覆盖内部层和第一电源线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
