[发明专利]电子元件与CMOS图像传感器的芯片级封装及制造方法有效
申请号: | 200710106516.4 | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN101217156A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 林孜翰;林孜颖;刘芳昌;王凯芝 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种电子元件与CMOS图像传感器的芯片级封装及其制造方法。上述CMOS图像传感器包括一透明基板结构做为该芯片级封装的承载结构,且具有一第一切割断面及一第二切割断面。一CMOS图像传感器晶粒具有黏着于该透明基板结构上的一晶粒电路。一封胶层于该基板结构上,将该CMOS图像传感器晶粒封住。一电连接自该晶粒电路延伸至该芯片级封装于该封胶层上的多个接触终端,且该电连接的部分表面裸露于该第一切割断面。一绝缘结构设置于该第一切割断面上以保护该裸露出的电连接部分且该绝缘结构与该第二切割断面共平面。 | ||
搜索关键词: | 电子元件 cmos 图像传感器 芯片级 封装 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电子元件的芯片级封装,包括:一基板结构,其做为该芯片级封装的承载结构,且包括一第一切割断面及一第二切割断面;一半导体晶粒,其具有黏着于该基板结构上的一晶粒电路;一封胶层,位于该基板结构上,将该半导体晶粒封住;一电连接,其自该芯片电路延伸至该芯片级封装在该封胶层上的多个接触终端,且该电连接的部分表面裸露于该第一切割断面;以及一绝缘结构,设置于该第一切割断面上以保护该裸露出的电连接部分,且该绝缘结构与该第二切割断面共平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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