[发明专利]电子元件与CMOS图像传感器的芯片级封装及制造方法有效

专利信息
申请号: 200710106516.4 申请日: 2007-06-01
公开(公告)号: CN101217156A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 林孜翰;林孜颖;刘芳昌;王凯芝 申请(专利权)人: 采钰科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 邢雪红
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种电子元件与CMOS图像传感器的芯片级封装及其制造方法。上述CMOS图像传感器包括一透明基板结构做为该芯片级封装的承载结构,且具有一第一切割断面及一第二切割断面。一CMOS图像传感器晶粒具有黏着于该透明基板结构上的一晶粒电路。一封胶层于该基板结构上,将该CMOS图像传感器晶粒封住。一电连接自该晶粒电路延伸至该芯片级封装于该封胶层上的多个接触终端,且该电连接的部分表面裸露于该第一切割断面。一绝缘结构设置于该第一切割断面上以保护该裸露出的电连接部分且该绝缘结构与该第二切割断面共平面。
搜索关键词: 电子元件 cmos 图像传感器 芯片级 封装 制造 方法
【主权项】:
1.一种电子元件的芯片级封装,包括:一基板结构,其做为该芯片级封装的承载结构,且包括一第一切割断面及一第二切割断面;一半导体晶粒,其具有黏着于该基板结构上的一晶粒电路;一封胶层,位于该基板结构上,将该半导体晶粒封住;一电连接,其自该芯片电路延伸至该芯片级封装在该封胶层上的多个接触终端,且该电连接的部分表面裸露于该第一切割断面;以及一绝缘结构,设置于该第一切割断面上以保护该裸露出的电连接部分,且该绝缘结构与该第二切割断面共平面。
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