[发明专利]于低介电系数介电层上形成孔洞的方法有效
| 申请号： | 200710106933.9 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101150065A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡嘉祥;谢志宏;徐祖望;陈德芳;林家慧;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种利用多晶硅罩幕，而非习知技术所使用的金属硬罩幕，在一低介电系数介电层上形成一孔洞的方法。一多晶硅硬罩幕被形成于一低介电系数介电层之上，以及一光阻层被形成于此多晶硅硬罩幕层之上。使用一气体电浆图刻光阻层并蚀刻多晶硅硬罩幕以制造低介电系数介电层的暴露部分。在蚀刻低介电系数介电层之前会先将光阻层移除，以免破坏低介电系数介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 低介电 系数 介电层上 形成 孔洞 方法 | ||
【主权项】：
1.一种于低介电系数介电层上形成孔洞的方法，其特征在于包含：形成一多晶硅硬罩幕于该低介电系数介电层之上；形成一光阻层于该多晶硅硬罩幕之上；图刻该光阻层；蚀刻该多晶硅硬罩幕层以产生该低介电系数介电层的多数个暴露部分，其中是利用一气体电浆蚀刻该多晶硅硬罩幕层；移除该光阻层；以及蚀刻该低介电系数介电层的该些暴露部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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