[发明专利]薄膜图案层的制造方法无效
| 申请号： | 200710107989.6 | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101312115A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 周景瑜;王宇宁;黄继震;廖义铭 | 申请（专利权）人： | ICF科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/71;H01L21/768;H01L21/02;H01L51/56;H01L51/00;G02B5/23;H05B33/10;H05K3/12 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 美国加州95054圣*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种薄膜图案层的制造方法，其包括以下步骤：提供一个基板，所述基板具有多个挡墙，所述多个挡墙与所述基板限定有多个收容空间，每一个收容空间具有相互平行的第一侧边及第二侧边，第一侧边与第二侧边的距离为b；提供第一喷嘴，该第一喷嘴沿着第一路线移动，该第一路线位于一个待处理的收容空间的第一侧边与第二侧边之间，与该第一侧边平行，且距离为a；该第一喷嘴对该收容空间喷入墨水；提供第二喷嘴，该第二喷嘴沿着第二路线移动，该第二路线与该第一路线平行，该第二路线与该第一路线的距离c符合以下两个关系式之一：0＜c＜b－a，及0＜c＜a；该第二喷嘴对该收容空间喷入墨水；干燥固化收容空间的墨水而形成薄膜图案层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 图案 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜图案层的制造方法，其包括以下步骤：提供一个基板，所述基板具有多个挡墙，所述多个挡墙与所述基板限定有多个收容空间，每一个收容空间具有相互平行的第一侧边及第二侧边，第一侧边与第二侧边的距离为b；提供第一喷嘴，该第一喷嘴沿着第一路线移动，该第一路线位于一个待处理的收容空间的第一侧边与第二侧边之间，与该第一侧边平行，且距离为a；该第一喷嘴对该收容空间喷入墨水；提供第二喷嘴，该第二喷嘴沿着第二路线移动，该第二路线与该第一路线平行，该第二路线与该第一路线的距离c符合以下两个关系式之一：0＜c＜b-a，及0＜c＜a；该第二喷嘴对该收容空间喷入墨水；干燥固化收容空间的墨水而形成薄膜图案层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
