[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 200710108218.9 申请日: 2007-06-04
公开(公告)号: CN101082750A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: 石谷哲二;久保田大介;西毅 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1335;G02F1/1333
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 浦柏明;刘宗杰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的课题为如下:因黑矩阵和玻璃衬底的折射率差异而使外光反射。即使黑矩阵是黑色树脂,也与第一衬底的折射率有差异,并且着色层与第一衬底的折射率也有差异,所以会反射少量的外光。这些反射光会降低对比度。在本发明中采用将具有双色性的一个偏振元件夹在一对衬底之间的结构,并且通过在颜色滤光片和玻璃衬底之间提供光干涉层来缓和折射率的差异,以进一步减少光反射。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:一对的第一衬底及第二衬底;形成在所述第一衬底和所述第二衬底之间的液晶层;形成在所述第一衬底和所述液晶层之间的多个着色层;形成在所述第一衬底和所述多个着色层之间的光干涉层;形成在所述多个着色层和所述液晶层之间的具有双色性的第一偏振元件;形成在所述第二衬底和所述液晶层之间的像素电极及薄膜晶体管;以及形成在所述第二衬底的外侧一面的具有双色性的第二偏振元件。
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