[发明专利]在硅基板中形成隔离结构的方法有效
| 申请号： | 200710108298.8 | 申请日： | 2007-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101090089A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 吴家伟;谢荣裕;杨令武 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露一种生成浅沟渠隔离区域的工艺。此工艺包括一个转换位于沟渠隔离区域内的氮化硅的临场蒸汽产生工艺(In Situ StreamGeneration)，以将此沟渠的上角落裸露出来，并同时将沟渠隔离区域内上角落的衬垫氧化层(Liner Oxide)边缘圆化。此具有圆化边缘的衬垫氧化层可以防止后续生成的栅氧化层被薄化。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板中 形成 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造硅基板上半导体元件的隔离结构的方法，包括：形成沟渠于所述硅基板中；利用衬垫氧化层来衬垫所述沟渠；利用氮化硅层来进一步衬垫所述沟渠；利用绝缘层来填充所述沟渠；利用临场蒸汽产生工艺来生成牺牲氧化层于所述硅基板靠近所述沟渠处，其中所述临场蒸汽产生工艺所生成的氧化层转换一部分的所述氮化硅层变为氧化硅，且同时将所述衬垫氧化层的上角落进行圆化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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