[发明专利]用于降低MTCMOS电路中模式转变期间的能量消耗的电荷再循环无效
申请号: | 200710108612.2 | 申请日: | 2007-05-31 |
公开(公告)号: | CN101090264A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 法赞·法拉赫;艾斯安·帕克巴尼亚;玛桑德·波达姆 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H03K17/00 | 分类号: | H03K17/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵淑萍 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在一个实施例中,一种电路包括:经由第一休眠晶体管连接到地的第一电路块;第一电路块和第一休眠晶体管之间的虚拟地节点;经由第二休眠晶体管连接到电源的第二电路块;第二电路块和第二休眠晶体管之间的虚拟电源节点。该电路还包括传输门(TG)或分流晶体管,其将虚拟地节点连接到虚拟电源节点,以实现在电路在活动模式和休眠模式之间转变期间第一电路块和第二电路块之间的电荷再循环。 | ||
搜索关键词: | 用于 降低 mtcmos 电路 模式 转变 期间 能量消耗 电荷 再循环 | ||
【主权项】:
1.一种电路,包括:经由第一休眠晶体管连接到地的第一电路块;所述第一电路块和所述第一休眠晶体管之间的虚拟地节点;经由第二休眠晶体管连接到电源的第二电路块;所述第二电路块和所述第二休眠晶体管之间的虚拟电源节点;以及传输门或分流晶体管,其将所述虚拟地节点连接到所述虚拟电源节点,以实现在所述电路从活动模式转变到休眠模式和从休眠模式转变到活动模式期间所述第一电路块和所述第二电路块之间的电荷再循环。
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