[发明专利]存取性能调整方法和存储装置无效

专利信息
申请号: 200710108973.7 申请日: 2004-07-13
公开(公告)号: CN101064164A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 山本道夫 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B20/18 分类号: G11B20/18;G11B27/10;G11B5/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种存取性能调整方法和存储装置。一种用于存储装置的存取性能调整方法,该存储装置具有带有用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道的记录介质,该方法的特征在于包括以下步骤:如果多个磁头的预定间隔的多个柱面位置之间的差异大于可容许值,则通过对于位于所述记录介质上与所述多个备用磁道相对侧的磁头插入多个附加回避磁道,来获得用于校正所述多个磁头的多个柱面位置之间的差异的附加回避信息;以及通过使用所述附加回避信息更新存储在存储器中的回避磁道信息,该磁道回避信息用于通过回避所述多个缺陷磁道来存取所述备用磁道。
搜索关键词: 存取 性能 调整 方法 存储 装置
【主权项】:
1.一种用于存储装置的存取性能调整方法,该存储装置具有带有用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道的记录介质,该方法的特征在于包括以下步骤:如果多个磁头的预定间隔的多个柱面位置之间的差异大于可容许值,则通过对于位于所述记录介质上与所述多个备用磁道相对侧的磁头插入多个附加回避磁道,来获得用于校正所述多个磁头的多个柱面位置之间的差异的附加回避信息;以及通过使用所述附加回避信息更新存储在存储器中的回避磁道信息,该磁道回避信息用于通过回避所述多个缺陷磁道来存取所述备用磁道。
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