[发明专利]用单层多晶硅工艺形成高薄层电阻量电阻器和高电容量电容器有效
| 申请号： | 200710109256.6 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101083265A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 胡永中;戴嵩山 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括晶体管，电容器和电阻器，其中电容器包括作为底导电层的经掺杂的多晶硅层，作为介电层的硅化物阻挡(SAB)层，该硅化物阻挡(SAB)层由作为顶导电层的Ti/TiN层覆盖，从而构成单层多晶硅金属－绝缘物－多晶硅(MIP)结构。同时，通过多晶硅层的差分掺杂也在同一个单层多晶硅上形成高薄层rho电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 多晶 工艺 形成 薄层 电阻 电阻器 容量 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括：晶体管，电容器和电阻器，其中电容器包括用作底导电层的经掺杂的多晶硅层，作为介电层的硅化物阻挡(SAB)层，该硅化物阻挡(SAB)层由作为顶导电层的导电层覆盖，从而构成单层多晶硅金属-绝缘物-多晶硅(MIP)结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
