[发明专利]内连线结构以及形成内连线结构的方法有效
申请号: | 200710109623.2 | 申请日: | 2007-06-07 |
公开(公告)号: | CN101110386A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 陈宪伟;林建宏;李慈莉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种高可靠度的集成电路内连线结构,以及形成此内连线结构的方法。此方法包括提供衬底;形成介电层于所述衬底之上;执行第一缩小工艺,其中所述介电层缩小且具有第一缩小率;于执行第一缩小工艺之后,形成导电结构于所述介电层中;以及于形成导电结构之后,执行第二缩小工艺,其中所述介电层实质上缩小且具有第二缩小率。本发明的优点包括当形成扩散阻障层时,具有较低的孔隙度而改善扩散阻障层,以及较长的电迁移路径而减少了电迁移。 | ||
搜索关键词: | 连线 结构 以及 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成内连线结构的方法,包括:提供衬底;形成介电层于所述衬底之上;执行第一缩小工艺,其中所述介电层缩小且具有第一缩小率;于执行第一缩小工艺之后,形成导电结构于所述介电层中;以及于形成导电结构之后,执行第二缩小工艺,其中所述介电层实质上缩小且具有第二缩小率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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