[发明专利]内连线结构以及形成内连线结构的方法有效

专利信息
申请号: 200710109623.2 申请日: 2007-06-07
公开(公告)号: CN101110386A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 陈宪伟;林建宏;李慈莉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/522
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种高可靠度的集成电路内连线结构,以及形成此内连线结构的方法。此方法包括提供衬底;形成介电层于所述衬底之上;执行第一缩小工艺,其中所述介电层缩小且具有第一缩小率;于执行第一缩小工艺之后,形成导电结构于所述介电层中;以及于形成导电结构之后,执行第二缩小工艺,其中所述介电层实质上缩小且具有第二缩小率。本发明的优点包括当形成扩散阻障层时,具有较低的孔隙度而改善扩散阻障层,以及较长的电迁移路径而减少了电迁移。
搜索关键词: 连线 结构 以及 形成 方法
【主权项】:
1.一种形成内连线结构的方法,包括:提供衬底;形成介电层于所述衬底之上;执行第一缩小工艺,其中所述介电层缩小且具有第一缩小率;于执行第一缩小工艺之后,形成导电结构于所述介电层中;以及于形成导电结构之后,执行第二缩小工艺,其中所述介电层实质上缩小且具有第二缩小率。
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