[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 200710110086.3 | 申请日: | 2007-06-14 |
公开(公告)号: | CN101090113A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 鹰巢博昭 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/544 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半导体装置。提供了占据小面积的用于检测探测时的位移的图案,在探测中当探针发生位移时该图案能够检测位移的方向。用于检测探测时的位移的图案成对地设置于与IC芯片相邻的划线区中,用于检测探测时的位移的图案由同心地形成的内导体和距内导体微小距离设置的外导体形成,并且该外导体被分成多个部分。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:硅衬底;形成于所述硅衬底上且包括晶体管和焊盘区的多个IC芯片;以及用于检测探测时的位移的图案,其包括内导体和与所述内导体隔开一定距离设置的外导体,所述内导体和所述外导体彼此同心。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的